中芯国际一小步，中国芯一大步：年底实现N+1工艺小批量试产

众所周知，中芯国际是目前大陆最强的芯片代工企业，量产水平达到了14nm工艺，机构预测到2025年将实现5nm工艺，与台积电水平相差大约是5年。

而近日，有媒体表示，中芯国际在大规模量产14nm工艺后，其N＋1代工艺已经进入客户导入阶段，年底会进行N+1工艺的小批量试产，有望于2021年进入量产。

N+1工艺究竟是什么工艺，一直以来大家对这个工艺是众说纷纭，有人认为是7nm，也有人认为是8nm，那么具体是什么工艺，中芯国际并没有明说。

但我们可以看看其参数，N＋1工艺中芯国际的14nm工艺相比，性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。

如果从性能来看，不是7nm，因为标准的7nm与14nm相比，性能要提升35%左右，这个只提升了20%，但从逻辑面积缩小的数据来看，与7nm工艺又非常相近了，所以说8nm可能更好一点。

当然，究竟是多少nm，并不重要，毕竟按照台积电的说法：“现在描述工艺水平的XXnm说法已经不科学了，因为它与晶体管栅极已经不是绝对相关了”。

所以我们只要知道N+1比14nm更先进，基本等同于7nm工艺就行了，而一旦达到这个水平，也就代表着中国芯前进了一大步了。

以前一旦有了这个水平，全球70%+以上的芯片都能够生产了，毕竟绝大多数的芯片，都是采用10nm或更落后的制造生产的。

而根据我们的相关目标，到2020年实现40%的芯片自给率，到2025年要实现70%的芯片自给率。目前国内相对落后的其实主要在制造上面，只要实现了N+1工艺，70%的自给率应该是没有问题的。

所以加油吧，中芯国际，赶紧把N+1工艺实现量产，大家都等不及了，只要实现了N+1，相信中国芯能够前进一大步了。