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三星全环绕栅极晶体管设计将推迟到2022年 2纳米制程预计2025年出现

2021-10-07 来源: cnBeta 原文链接 评论0条

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三星全环绕栅极晶体管设计将推迟到2022年 2纳米制程预计2025年出现 - 1

不过,对这些客户来说,好消息是,三星还宣布了之后在下一代制造方面的进展,全面的工艺改进应该在2025年到来。三星表示,这应该会在芯片性能、电源效率和电子产品的小型化方面带来另一次进步。

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三星的芯片制造对手台积电在8月披露了类似技术的延迟,而英特尔正在推出自己的代工业务,作为旨在夺回被台积电和三星夺去的领导地位的恢复计划的一部分,该时间表的滑落稍微缓解了英特尔的压力。

全球范围看,处理器业务正面临着极大的压力,随着大流行病推动了个人电脑的销售、智能手机的使用以及数据中心的在线服务,对处理器的需求已经超过了制造能力。芯片短缺已经阻碍了个人电脑、游戏机、汽车和其他依赖全球电子供应链的产品的销售。

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三星代工企业高级副总裁Shawn Han说,根据三星与客户的沟通,处理器的短缺在2022年前不会缓解。他在三星论坛举办之前的一次简报会上说:"在我们看来,这将再持续六到九个月,尽管我们正在投资,其他代工供应商也在增加他们的产能。"

转向下一代制造技术是异常复杂的。芯片是由被称为晶体管的数十亿个电子元件组成的,每一个都比一粒灰尘小得多。芯片制造厂,即晶圆厂,在硅片上蚀刻电路图案,其过程需要几十个步骤,耗时数月。

通常而言计算芯片的进展来自于晶体管的微型化,更多的晶体管可以挤在一个芯片上,提高其速度并降低其功耗。三星的下一代工艺,它称之为3GAE,采用了一种被称为"全环绕栅极晶体管"(GAA)的技术。这是该技术的一个早期版本。

在2023年,三星预计将通过一个名为3GAP的更成熟的版本达到高产量。名字中的3指的是3纳米的测量,虽然不再与芯片电子的尺寸直接相关,但它是制造方法进步的一个标签。

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然后在2025年,该公司计划转向第二种更先进的全门控技术,它称之为2GAP。这种制造方法将是三星2纳米的第一代产品。

随着芯片变得越来越复杂,它们往往也变得越来越昂贵,这就是为什么许多芯片买家坚持使用GlobalFoundries等公司的旧的、更便宜的制造工艺,但三星相信它能使新的制造工艺在经济上对客户具有吸引力。

"即使GAA是一项困难的技术,我们仍将努力降低每个晶体管的成本,"三星代工战略团队负责人Moonsoo Kang说。"这一趋势将继续下去"。

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