英特尔或在2025年夺回制程技术领先地位 Intel 18A工艺研发正在加速

除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外，英特尔还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻（EUV）技术的计划，即高数值孔径（High-NA）EUV，并将部署业界第一台High-NA EUV光刻机。

英特尔最新工艺路线图看起来是非常积极的，这是一个四年内推进五个制程节点的计划。虽然帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）回归英特尔担任CEO以后，蓝色巨人的表现有所起色，但鉴于过去多年来的羸弱表现，不少人对这份工艺路线图持保留态度。近日，半导体咨询公司IC Knowledge的总裁Scotten Jones为SemiWiki撰写了一篇文章，谈及了自己对英特尔的计划从怀疑到获得信心的过程。

Scotten Jones分析了英特尔、台积电和三星未来几年可能的半导体技术研发情况，认为英特尔随着更多地使用极紫外（EUV）光刻设备，加上在Intel 20A制程节点引入RibbonFET和PowerVia两大突破性技术，将会有一个巨大的突破。预计2024年末（最初的说法是2025年初）英特尔将推出对RibbonFET改进后的Intel 18A，那么很可能在2025年压倒台积电的N2制程节点，取得每瓦性能的领先。

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